Productieproces van siliciumcarbidesteen

De formule voor grof, medium en fijn SiC moet 5:1:4 zijn. De grondstof voor de productie van siliciumcarbidestenen is over het algemeen zwart SiC, met de volgende chemische samenstelling: SiC 98.0%, vrij C 0.5%, Fe 0.2%, en gratis SiO2 0,6%. Door verschillende combinatiemethoden zijn er verschillen in het productieproces. Het korte proces van verschillende combinatiemethoden is:
(1) Siliciumnitride gecombineerd met siliciumcarbidesteen: een groen lichaam gevormd uit grove, medium en fijne siliciumcarbidedeeltjes en fijn siliciumpoeder, in puur N2-gas bij 1370 graden, produceert een structuur met% 26 - SiC als het skelet en% 26 en% 26 - Si3N4. Siliciumnitride gecombineerd met siliciumcarbidestenen voor het substraat. Er zit nog steeds een kleine hoeveelheid resterend silicium en SiO2 in de matrix van het product, en het relatieve gehalte van deze componenten varieert afhankelijk van de productiefabriek.
(2) Het combineren van siliciumcarbidestenen: SiC, siliciumpoeder en koolstofpoeder worden gemengd en gevormd in een bepaalde verhouding, en gebakken in een reducerende atmosfeer op 1400 graden. In de meeste gevallen wordt gebruik gemaakt van ingegraven houtskoolstook. Tijdens het bakproces wordt een% 26 - Si3N4 gebonden SiC-steen met% 26 - SiC als skelet en fijne korrel% 26 - SiC als matrix geproduceerd 26 - SiC wordt gevormd door de reactie van fijn siliciumpoeder en fijn koolstofpoeder tijdens het bakproces, en dit product bevat ook een kleine hoeveelheid resterend silicium en koolstof.
(3) Siliciumoxynitride gecombineerd met siliciumcarbidesteen: Bij de bereiding van deze steen moet het aandeel fijn siliciumpoeder kleiner zijn dan dat van siliciumcarbide.